垫氧化层
(半导体相关)
PadOxide垫氧化层在制程中主要是起到缓冲层,一般做为SIN的垫底以抵消SIN的应力,并且阻止光阻污染Si芯片表面。其制程条件为:温度:950℃~1100℃;气体:O2或O2+TDCE(含氯的碳氢化合物)压力:接近1ATM;SiO2厚度:100?~500?
用户数据
参数表
继承树
构成树
关注人数:
0
技点进度:
0
/
0
题库进度:
0
/
0
技能进度:
0
/
关注级别:
取消关注
【参数模块正在开发当中】